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| Artikel-Nr.:
822EL-8772873 Herst.-Nr.:
STGF10NB60SD EAN/GTIN:
5059042708455 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 23 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 25 W
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.4 x 4.6 x 20mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
IGBT, diskret, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 23 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 25 W | Gehäusegröße: | TO-220FP | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10.4 x 4.6 x 20mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 8772873, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGF10NB60SD, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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