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Infineon CoolMOS C6 IPW60R125C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A 219 W, 3-Pin TO-247


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Infineon CoolMOS C6 IPW60R125C6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A 219 W, 3-Pin TO-247
Artikel-Nr.:
     822EL-8977204
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPW60R125C6FKSA1
EAN/GTIN:
     5059043073200
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 219 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = CoolMOS C6

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
30 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
125 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
2.5V
Verlustleistung max.:
219 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
CoolMOS C6
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet 30a, 8977204, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPW60R125C6FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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