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| Artikel-Nr.: 822EL-9114785 Herst.-Nr.: IGW40T120FKSA1 EAN/GTIN: 5059043073439 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 270 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 16.13 x 21.1 x 5.21mm Betriebstemperatur min. = –40 °C
TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit. Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V Sehr geringer VCEsat Geringe Abschaltverluste Kurzer Endstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 75 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 270 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.13 x 21.1 x 5.21mm | Betriebstemperatur min.: | –40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 9114785, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGW40T120FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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