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| Artikel-Nr.:
822EL-9189862 Herst.-Nr.:
IRL630PBF EAN/GTIN:
5059040659636 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 74 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 400 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 74 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 9189862, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRL630PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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