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| Artikel-Nr.:
822EL-9189871 Herst.-Nr.:
IRLU110PBF EAN/GTIN:
5059040677364 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 540 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 6,1 nC bei 5 V
Höhe = 6.22mm
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | IPAK (TO-251) | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 540 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 6,1 nC bei 5 V | Höhe: | 6.22mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 9189871, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRLU110PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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