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| Artikel-Nr.:
822EL-9194233 Herst.-Nr.:
SI4190ADY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040648784 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 2,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 18 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,2 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 9194233, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4190ADYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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