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| Artikel-Nr.:
822EL-9211050 Herst.-Nr.:
DMN2013UFX-7 EAN/GTIN:
5059043403625 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = WDFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 14 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 2,14 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.8mm
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | WDFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 14 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.5V | Verlustleistung max.: | 2,14 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 9211050, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN2013UFX7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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