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| Artikel-Nr.:
822EL-9228008 Herst.-Nr.:
DMN2004K-7 EAN/GTIN:
5059043291529 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 630 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 900 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Verlustleistung max. = 350 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –65 °C
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 630 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 900 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 350 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –65 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 9228008, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN2004K7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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