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| Artikel-Nr.:
822EL-9228018 Herst.-Nr.:
ZXMN6A11GTA EAN/GTIN:
5059043418346 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 3,9 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 180 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 3,9 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 9228018, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMN6A11GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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