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| Artikel-Nr.:
822EL-9228594 Herst.-Nr.:
ZXMHC3A01T8TA EAN/GTIN:
5059043303635 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 1,8 A; 3,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 (N-Kanal) V, –30 (P-Kanal) V
Gehäusegröße = SM
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ, 330 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 1,7 W
Transistor-Konfiguration = Vollbrücke
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 4
Betriebstemperatur min. = –55 °C
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,8 A; 3,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 (N-Kanal) V, –30 (P-Kanal) V | Gehäusegröße: | SM | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 180 mO, 330 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 1,7 W | Transistor-Konfiguration: | Vollbrücke | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 4 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 9228594, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMHC3A01T8TA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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