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Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A; 0,26W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A; 0,26W
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0,24A; Idm: 1,2A; 0,26W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-2N7002PW.115
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     2N7002PW,115
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: NEXPERIA
Montage: SMD
Gehäuse: SC70;SOT323
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,24A
Widerstand im Leitungszustand: 1,6Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,26W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 0,8nC
Technologie: Trench
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 1,2A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, sot323 mosfet, smd transistor
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