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Transistor: IGBT; 650V; 60A; 250W; TO247; EAus: 1,3mJ; EEin: 2,6mJ


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; 650V; 60A; 250W; TO247; EAus: 1,3mJ; EEin: 2,6mJ
Transistor: IGBT; 650V; 60A; 250W; TO247; EAus: 1,3mJ; EEin: 2,6mJ
Artikel-Nr.:
     8WUGW-AOK60B65M3
Hersteller:
     Alpha & Omega Semiconductor
Herst.-Nr.:
     AOK60B65M3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,94V
Kollektor-Emitter-Strom: 60A
Kollektorstrom im Impuls: 180A
Anschaltzeit: 125ns
Ausschaltzeit: 285ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 250W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 106nC
Einschaltenergie: 2,6mJ
Ausschaltenergie: 1,3mJ
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