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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 16A; 12,5W; DFN5x6


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 16A; 12,5W; DFN5x6
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 16A; 12,5W; DFN5x6
Artikel-Nr.:
     8WUGW-AON6810
Hersteller:
     Alpha & Omega Semiconductor
Herst.-Nr.:
     AON6810
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: DFN5x6
Struktur des Halbleiters: gemeinsamer Drain
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 16A
Widerstand im Leitungszustand: 4,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 12,5W
Polarisierung: unipolar
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate;integrated temp sense diode
Gate-Ladung: 11nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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