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Transistor: IGBT; 650V; 5A; 10W; TO220F; EAus: 0,12mJ; EEin: 0,09mJ


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: IGBT; 650V; 5A; 10W; TO220F; EAus: 0,12mJ; EEin: 0,09mJ
Transistor: IGBT; 650V; 5A; 10W; TO220F; EAus: 0,12mJ; EEin: 0,09mJ
Artikel-Nr.:
     8WUGW-AOTF5B65M1
Hersteller:
     Alpha & Omega Semiconductor
Herst.-Nr.:
     AOTF5B65M1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO220F
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Sättigungsspannung Kol.-Emitt.: 1,87V
Kollektor-Emitter-Strom: 5A
Kollektorstrom im Impuls: 15A
Anschaltzeit: 21ns
Ausschaltzeit: 157ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 10W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 14nC
Einschaltenergie: 0,09mJ
Ausschaltenergie: 0,12mJ
Die Konditionen im Überblick1
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