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Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 20A; 250W; TO247-3


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 20A; 250W; TO247-3
Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 20A; 250W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT13GP120BG
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT13GP120BG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 20A
Kollektorstrom im Impuls: 50A
Anschaltzeit: 21ns
Ausschaltzeit: 270ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 250W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 55nC
Technologie: POWER MOS 7®;PT
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.