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Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3
Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT25GP90BG
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT25GP90BG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 900V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 36A
Kollektorstrom im Impuls: 110A
Anschaltzeit: 29ns
Ausschaltzeit: 190ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 417W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 110nC
Technologie: POWER MOS 7®;PT
Die Konditionen im Überblick1
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