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Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT25GR120S
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT25GR120S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: SMD
Gehäuse: D3PAK
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 25A
Kollektorstrom im Impuls: 100A
Anschaltzeit: 26ns
Ausschaltzeit: 164ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 521W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 154nC
Technologie: POWER MOS 8®;NPT
Status des Teils: für Neuprojekte nicht empfohlen
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
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