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Transistor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3
Transistor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT43GA90BD30
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT43GA90BD30
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 900V
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 43A
Kollektorstrom im Impuls: 129A
Anschaltzeit: 28ns
Ausschaltzeit: 246ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 337W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 116nC
Technologie: POWER MOS 8®;PT
Die Konditionen im Überblick1
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