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Transistor: IGBT; NPT; 650V; 56A; 543W; TO247-3


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; NPT; 650V; 56A; 543W; TO247-3
Transistor: IGBT; NPT; 650V; 56A; 543W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT45GR65B
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT45GR65B
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 56A
Kollektorstrom im Impuls: 224A
Anschaltzeit: 47ns
Ausschaltzeit: 175ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 543W
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 150nC
Technologie: POWER MOS 8®;NPT
Status des Teils: für Neuprojekte nicht empfohlen
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