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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 32A; Idm: 128A
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT5015BVRG
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT5015BVRG
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 500V
Drainstrom: 32A
Widerstand im Leitungszustand: 0,15Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 370W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 300nC
Technologie: POWER MOS 5®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 128A
Weitere Suchbegriffe: mosfet 500v, mosfet, transistor 500v
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