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Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; T-Max


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; T-Max
Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; T-Max
Artikel-Nr.:
     8WUGW-APT68GA60B2D40
Hersteller:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
Herst.-Nr.:
     APT68GA60B2D40
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montage: THT
Gehäuse: T-Max
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±30V
Kollektor-Emitter-Strom: 68A
Kollektorstrom im Impuls: 202A
Anschaltzeit: 46ns
Ausschaltzeit: 304ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 520W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 198nC
Technologie: POWER MOS 8®;PT
Die Konditionen im Überblick1
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