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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-BSC016N03LSGATMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BSC016N03LSGATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TDSON-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 100A
Widerstand im Leitungszustand: 1,6mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Technologie: OptiMOS™ 3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, feldeffekttransistor
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