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IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO8; -600÷290mA


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Produktinformationen
IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO8; -600÷290mA
IC: driver; IGBT Halbbrücke,MOSFET Halbbrücke; SO8; -600÷290mA
Artikel-Nr.:
     8WUGW-DGD2106MS8-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DGD2106MS8-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO8
Versorgungsspannung: 10...20V DC
Ausgangsstrom: -600...290mA
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Impulsanstiegszeit: 220ns
Impulsabfallzeit: 80ns
Anzahl Kanäle: 2
Eigenschafte integrierter Schaltkreise: integrated bootstrap functionality
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Sicherung: Unterspannung UVP
Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side;Steuerung für Gates
Topologie: IGBT Halbbrücke;MOSFET Halbbrücke
Spannungsklasse: 600V
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