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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9,8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN1008UFDF-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN1008UFDF-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
diodes mosfet
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: U-DFN2020-6
Drain-Source Spannung: 12V
Drainstrom: 9,8A
Widerstand im Leitungszustand: 12,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 23,4nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: 60A
Weitere Suchbegriffe: smd transistor
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