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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5A; 0,69W; U-DFN2020-6


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMN1019UFDE-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN1019UFDE-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
diodes mosfet
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: U-DFN2020-6
Drain-Source Spannung: 12V
Drainstrom: 5A
Widerstand im Leitungszustand: 41mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,69W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 11a
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