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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,56A; Idm: 2,5A; 0,4W; SOT23

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0,56A; Idm: 2,5A; 0,4W; SOT23

Artikel-Nr.:
8WUGW-DMN10H700S-7

Hersteller:
Diodes

Herst.-Nr.:
DMN10H700S-7

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
diodes mosfet

Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 0,56A
Widerstand im Leitungszustand: 0,7Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,4W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 2,5A

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Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet sot-23

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