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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1,5A; 200mW; SOT363

Menge:

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Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8WUGW-DMN2004DWK-7

Hersteller:
Diodes

Herst.-Nr.:
DMN2004DWK-7

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
diodes mosfet

Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT363
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 0,39A
Widerstand im Leitungszustand: 0,9Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 0,95nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: 1,5A

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Weitere Suchbegriffe: smd transistor

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