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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -200mA; Idm: -0,7A; 425mW


Menge:  Packung  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMP56D0UFB-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMP56D0UFB-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: X1-DFN1006-3
Drain-Source Spannung: -50V
Drainstrom: -0,2A
Widerstand im Leitungszustand: 8Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 0,425W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 580pC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: -0,7A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.