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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3,6A; Idm: -19A; 2W; SO8


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Produktinformationen
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3,6A; Idm: -19A; 2W; SO8
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3,6A; Idm: -19A; 2W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-DMP6110SSS-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMP6110SSS-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
diodes mosfet
mosfet
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: -60V
Drainstrom: -3,6A
Widerstand im Leitungszustand: 0,13Ω
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 19,4nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: -19A
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