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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 120A; Idm: 940A; 37,5W; TO3PN


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDA032N08
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDA032N08
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: THT
Gehäuse: TO3PN
Drain-Source Spannung: 70V
Drainstrom: 120A
Widerstand im Leitungszustand: 3,2mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 37,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 0,22µC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: anreicherungs
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 940A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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