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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 80W; D2PAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 80W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 80W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDB8896
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDB8896
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 80A
Widerstand im Leitungszustand: 9,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 80W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 67nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Die Konditionen im Überblick1
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