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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0,96W; SuperSOT-6


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0,96W; SuperSOT-6
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0,96W; SuperSOT-6
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDC3601N
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDC3601N
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Dual Transistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SuperSOT-6
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 1A
Widerstand im Leitungszustand: 976mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 0,96W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.