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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2,7A; 0,5W; SuperSOT-3


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDN359BN
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDN359BN
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SuperSOT-3
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 2,7A
Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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