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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11,6A; 2,5W; SO8


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11,6A; 2,5W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11,6A; 2,5W; SO8
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FDS8880
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDS8880
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 11,6A
Widerstand im Leitungszustand: 16,3mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 30nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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