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Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-FF900R12IE4
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FF900R12IE4
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Gehäuse: AG-PRIME2-1
Rückspannung max.: 1,2kV
Struktur des Halbleiters: Transistor/Transistor
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 900A
Kollektorstrom im Impuls: 1,8kA
Verlustleistung: 5,1kW
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: IGBT
Technologie: PrimePACK™ 2
Topologie: NTC Thermistor;IGBT Halbbrücke
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt
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