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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,2A; 158W; TO220AB


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,2A; 158W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3,2A; 158W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     8WUGW-FQP6N80C
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQP6N80C
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 3,2A
Widerstand im Leitungszustand: 2,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 158W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 30nC
Technologie: QFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
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