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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 15A; Idm: 48A; 187W


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-G3R160MT17J
Hersteller:
     Genesic Semiconductor
Herst.-Nr.:
     G3R160MT17J
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Montage: SMD
Gehäuse: TO263-7
Drain-Source Spannung: 1,7kV
Drainstrom: 15A
Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 187W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Kelvin Terminal
Gate-Ladung: 51nC
Technologie: SiC;G3R™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -5...15V
Drainstrom im Impuls: 48A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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