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Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8WUGW-IGOT60R070D1AUMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IGOT60R070D1AUMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Jfet
Junction-FET
Junktion-FET
MOSFET
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-DSO-20
Gatestrom: 20mA
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 31A
Widerstand im Leitungszustand: 70mΩ
Transistor-Typ: N-JFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band
Gate-Ladung: 5,8nC
Technologie: CoolGaN™
Transistor-Art: HEMT
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -10V
Drainstrom im Impuls: 60A
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.