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Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IKD04N60RATMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKD04N60RATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 4A
Kollektorstrom im Impuls: 12A
Anschaltzeit: 22ns
Ausschaltzeit: 317ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 75W
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 27nC
Technologie: TRENCHSTOP™ RC
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor
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