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Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB

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Produktinformationen

Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB

Artikel-Nr.:
8WUGW-IKP10N60T

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IKP10N60TXKSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 10A
Kollektorstrom im Impuls: 30A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 110W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 62nC

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