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Transistor: IGBT; 1,2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3

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Produktinformationen

Transistor: IGBT; 1,2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3

Artikel-Nr.:
8WUGW-IKW25N120H3

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IKW25N120H3FKSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Diode
IGBT
Schalttransistor
Transistor

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,2kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 50A
Kollektorstrom im Impuls: 100A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 326W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 115nC
Herstellerserie: H3
Technologie: TRENCHSTOP™ 3

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Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt

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