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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IPD090N03LGATMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD090N03LGATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO252-3
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 30A
Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 42W
Polarisierung: unipolar
Technologie: OptiMOS™ 3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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