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IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO16-W; -420÷200mA; 1,25W; Ch: 2


Menge:  Stück  
Produktinformationen
IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO16-W; -420÷200mA; 1,25W; Ch: 2
IC: driver; MOSFET Halbbrücke; SO16-W; -420÷200mA; 1,25W; Ch: 2
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IR2112SPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IR2112SPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
OR-Gate
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Betriebstemperatur: -40...125°C
Gehäuse: SO16-W
Leistung: 1,25W
Versorgungsspannung: 10...20V DC
Anschaltzeit: 205ns
Ausschaltzeit: 145ns
Ausgangsstrom: -420...200mA
Integrierten Schaltkreises-Typ: driver
Anzahl Kanäle: 2
Verpackungs-Art: Tube
Integrierten Schaltkreises-Art: high-/low-side;Steuerung für Gates
Topologie: MOSFET Halbbrücke
Spannungsklasse: 600V
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