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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRF3808STRLPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF3808STRLPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 75V
Drainstrom: 75A
Widerstand im Leitungszustand: 7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 200W
Polarisierung: unipolar
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 550A
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