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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET

Menge:

Packungen

Produktinformationen:

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET

Artikel-Nr.:
8WUGW-IRF6613TRPBF

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRF6613TRPBF

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Diode
Dual Transistor
MOSFET
MOSFET-Transistor

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: DirectFET
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 23A
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 89W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Rolle
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark

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Weitere Suchbegriffe: SMD-Diode, SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, diode infineon, smd diode

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