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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IRLL024ZTRPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLL024ZTRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: SOT223
Drain-Source Spannung: 55V
Drainstrom: 4A
Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Rolle
Gate-Ladung: 11nC
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±16V
Drainstrom im Impuls: 40A
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