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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,6kV; 16A; 250W


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,6kV; 16A; 250W
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,6kV; 16A; 250W
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXBF40N160
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXBF40N160
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: ISOPLUS i4-pac™ x024c
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,6kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 16A
Kollektorstrom im Impuls: 40A
Anschaltzeit: 260ns
Ausschaltzeit: 340ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 250W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 130nC
Technologie: BiMOSFET™
Weitere Suchbegriffe: igbt
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