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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 42A; 360W; TO247-3


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 42A; 360W; TO247-3
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 42A; 360W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXBH42N170
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXBH42N170
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,7kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 42A
Kollektorstrom im Impuls: 300A
Anschaltzeit: 224ns
Ausschaltzeit: 1,07µs
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 360W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 188nC
Technologie: FRED;BiMOSFET™
Weitere Suchbegriffe: igbt
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