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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXBT2N250
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXBT2N250
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: SMD
Gehäuse: TO268
Kollektor-Emitter-Spannung: 2,5kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 2A
Kollektorstrom im Impuls: 13A
Anschaltzeit: 310ns
Ausschaltzeit: 252ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 32W
Verpackungs-Art: Tube
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 10,6nC
Technologie: BiMOSFET™
Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor
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