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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Artikel-Nr.:
     8WUGW-IXFB52N90P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFB52N90P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: PLUS264™
Bereitschaftszeit: 300ns
Drain-Source Spannung: 900V
Drainstrom: 52A
Widerstand im Leitungszustand: 0,16Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,25kW
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 308nC
Technologie: HiPerFET™;Polar™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet
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